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C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35010NT1 replaced by MRFG35010ANT1.
MRFG35010NT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class
AB linear base station applications.
?
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
I
DQ
= 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power ? 900 mW
Power Gain ? 10 dB
Efficiency ? 28%
?
9 Watts P1dB @ 3.55 GHz
?
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
?
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
22.7(2)
0.15(2)
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
33
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature(1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +85
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
6.6(2)
°C/W
Table 3. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
1
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Simulated.
Document Number: MRFG35010N
Rev. 7, 1/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 9 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35010NT1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2006, 2008. All rights reserved.
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